AP15P03Q, 30V 12A 20m ё@10V,9A 900mW 2.5V@250uA P Channel PDFN-8(3x3.2) MOSFETs ROHS
5645 шт., срок 6-8 недель
49 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
45 руб.
от 150 шт. —
43 руб.
от 500 шт. —
40.14 руб.
5 шт.
на сумму 245 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
30V 12A 20mΩ@10V,9A 900mW 2.5V@250uA P Channel PDFN-8(3x3.2) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 30A(Tc) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 900mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 20mΩ 9A, 10V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 12A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V, 9A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 900mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | P Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 635 КБ
Datasheet AP15P03Q
pdf, 1544 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
