AP3407, 30V 4.1A 60m ё@10V,4.1A 1.4W 3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
25750 шт., срок 6-8 недель
15 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
14 руб.
50 шт.
на сумму 750 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
30V 4.1A 60mΩ@10V,4.1A 1.4W 3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 4.1A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.4W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 60mО© @ 4.1A,10V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V, 3A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 583pF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.32W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 80pF@15V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6.4nC@4.5V |
| Type | P Channel |
Техническая документация
Datasheet AP3407
pdf, 2028 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
