L8050HQLT1G, 25V 225mW 1.5A NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
55600 шт., срок 6-8 недель
3 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
2 руб.
от 3000 шт. —
1.50 руб.
от 6000 шт. —
1.31 руб.
100 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
25V 225mW 1.5A NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 25V |
| Maximum DC Collector Current | 1.5A |
| Pd - Power Dissipation | 225mW |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Вес, г | 0.8 |
Техническая документация
Datasheet L8050HQLT1G
pdf, 88 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
