BC846A_R1_00001, 65V 330mW 110@2mA,5V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

3350 шт., срок 6-8 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.5 руб.
от 2500 шт.3.60 руб.
от 3000 шт.2.93 руб.
50 шт. на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003478225
Артикул: BC846A_R1_00001

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
65V 330mW 110@2mA,5V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector-Emitter Breakdown Voltage 65V
Maximum DC Collector Current 100mA
Pd - Power Dissipation 330mW
Transistor Type NPN
Collector Current (Ic) 100mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 15nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 65V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 600mV@5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 110@2mA, 5V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 330mW

Техническая документация

Datasheet
pdf, 330 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.