NCE30D2519K, 30V 8.5m ё@10V,7A 21W 2V@250uA 1PCSN-Channel& 1PCSP-Channel TO-252-4 MOSFETs ROHS
6045 шт., срок 6-8 недель
35 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
31 руб.
от 150 шт. —
29 руб.
от 500 шт. —
25.92 руб.
10 шт.
на сумму 350 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
30V 8.5mΩ@10V,7A 21W 2V@250uA NChannel+PChannel TO-252-4 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 25A(Tc), 19A(Tc) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 21W(Tc) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 12mΩ 7A, 10V |
| Transistor Polarity | N и P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 8.5mΩ@10V, 7A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 450pF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 21W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 90pF@15V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 9.5nC@10V |
| Type | NChannel+PChannel |
Техническая документация
Datasheet NCE30D2519K
pdf, 454 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
