NCEP40T11G, 40V 110A 2.8m ё@10V,55A 75W 2.2V@250uA N Channel DFN-8(5.7x5.1) MOSFETs ROHS
8900 шт., срок 6-8 недель
68 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
57 руб.
от 150 шт. —
53 руб.
от 500 шт. —
50.06 руб.
5 шт.
на сумму 340 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
40V 110A 2.8mΩ@10V,55A 75W 2.2V@250uA N Channel DFN-8(5.7x5.1) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 110A(Tc) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 75W(Tc) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.8mΩ 55A, 10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.2V 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 110A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.8mΩ@10V, 55A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 75W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet NCEP40T11G
pdf, 375 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
