NCE30P12S, 30V 12A 15m ё@10V,10A 3W 3V@250uA P Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS
21270 шт., срок 6-8 недель
37 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
30 руб.
от 150 шт. —
25 руб.
от 500 шт. —
21.88 руб.
10 шт.
на сумму 370 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
30V 12A 15mΩ@10V,10A 3W 3V@250uA P Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 12A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 3W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 15mО© @ 10A,10V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 12A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@10V, 10A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 3W |
| Type | P Channel |
Техническая документация
Datasheet NCE30P12S
pdf, 364 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
