NCE3407AY, 30V 4.3A 1.5W 52m ё@10V,4A 3V@250uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS
5250 шт., срок 6-8 недель
9 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт. —
8 руб.
от 500 шт. —
7.30 руб.
от 3000 шт. —
6.81 руб.
50 шт.
на сумму 450 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
30V 4.3A 1.5W 52mΩ@10V,4A 3V@250uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 4.3A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.5W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 52mО© @ 4A,10V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.3A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 52mΩ@10V, 4A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
| Type | P Channel |
Техническая документация
Datasheet NCE3407AY
pdf, 261 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
