PJ2301_R1_00001, 20V 3.1A 1.25W 100m ё@4.5V,3.1A 1.2V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
5355 шт., срок 6-8 недель
18 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
15 руб.
от 150 шт. —
13 руб.
от 500 шт. —
11.26 руб.
15 шт.
на сумму 270 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
20V 3.1A 1.25W 100mΩ@4.5V,3.1A 1.2V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 3.1A |
| Manufacturer | PANJIT International |
| Package / Case | SOT-23 |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 1.25W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 100mΩ 3.1A, 4.5V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.2V 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.1A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@4.5V, 3.1A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 416pF@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.25W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.4nC@4.5V |
| Type | P Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 379 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
