LP2301LT1G, 20V 2.3A 100m ё@4.5V,2.8A 900mW 900mV@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
32050 шт., срок 6-8 недель
10 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт. —
8 руб.
от 500 шт. —
6.50 руб.
от 3000 шт. —
5.69 руб.
50 шт.
на сумму 500 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
20V 2.3A 100mΩ@4.5V,2.8A 900mW 900mV@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 2.3A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 900mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 100mО© @ 2.8A,4.5V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 900mV @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.3A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@4.5V, 2.8A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 900mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | P Channel |
Техническая документация
Datasheet LP2301LT1G
pdf, 544 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
