LP3415ELT1G, 20V 4A 85m@1.8V,2A 1W 1V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

9950 шт., срок 6-8 недель
15 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт.12 руб.
от 500 шт.11 руб.
от 3000 шт.9.16 руб.
50 шт. на сумму 750 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003582730
Артикул: LP3415ELT1G
Бренд: Leshan Radio Co

Описание

20V 4A 85mΩ@1.8V,2A 1W 1V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 4A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 85mΩ@1.8V, 2A
Drain Source Voltage (Vdss) 20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1V@250uA
Power Dissipation (Pd) 1W
Type P Channel

Техническая документация

Datasheet LP3415ELT1G
pdf, 312 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.