L2SC2412KRLT1G, 50V 200mW 150mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
15000 шт., срок 6-8 недель
3 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 3000 шт. —
2 руб.
от 6000 шт. —
1.76 руб.
100 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
50V 200mW 150mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 150mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@50mA, 5mA |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transition Frequency (fT) | 180MHz |
Техническая документация
Datasheet L2SC2412KRLT1G
pdf, 127 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
