LMBT3946DW1T1G, 40V 150mW 100@10mA,1V 200mA NPN+PNP SC-88 Bipolar Transistors - BJT ROHS
39850 шт., срок 6-8 недель
5 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
от 2500 шт. —
2.90 руб.
от 3000 шт. —
2.59 руб.
50 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
40V 150mW 100@10mA,1V 200mA NPN+PNP SC-88 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 40V |
| Maximum DC Collector Current | 200mA |
| Pd - Power Dissipation | 150mW |
| Transistor Type | NPN,PNP |
| Collector Current (Ic) | 200mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | - |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@50mA, 5mA;400mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transition Frequency (fT) | 300MHz;250MHz |
Техническая документация
Datasheet LMBT3946DW1T1G
pdf, 664 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
