NCE55P30K, 55V 30A 40m ё@10V,15A 65W 4V@250uA P Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS
4855 шт., срок 6-8 недель
110 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
75 руб.
от 150 шт. —
64 руб.
от 500 шт. —
59.06 руб.
5 шт.
на сумму 550 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
55V 30A 40mΩ@10V,15A 65W 4V@250uA P Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 30A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 65W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 40mО© @ 15A,10V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 30A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@10V, 15A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 65W |
| Type | P Channel |
Техническая документация
Datasheet NCE55P30K
pdf, 365 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
