AP30H100KA, 30V 100A 4.2m@10V,40A 90W 3V@250uA N Channel TO-252 MOSFETs ROHS

7025 шт., срок 6-8 недель
72 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.52 руб.
от 150 шт.43 руб.
от 500 шт.34.41 руб.
5 шт. на сумму 360 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003604210
Артикул: AP30H100KA

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 100A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 90W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 4.2mО© @ 40A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Vgs - Gate-Source Voltage 3V @ 250uA
Continuous Drain Current (Id) 100A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 4.2mΩ@10V, 40A
Drain Source Voltage (Vdss) 30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3V@250uA
Power Dissipation (Pd) 90W
Type N Channel

Техническая документация

Datasheet AP30H100KA
pdf, 1380 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.