NCE3035Q, 30V 35A 35W 7m ё@10V,12A 3V@250uA N Channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS
5005 шт., срок 6-8 недель
42 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
30 руб.
от 150 шт. —
26 руб.
от 500 шт. —
22.71 руб.
5 шт.
на сумму 210 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
30V 35A 35W 7mΩ@10V,12A 3V@250uA N Channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 35A(Tc) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 35W(Tc) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7mО© @ 12A,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 35A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@10V, 12A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 35W |
| Type | N Channel |
Техническая документация
Datasheet NCE3035Q
pdf, 327 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
