LRC6N33YT1G, 50V 200mA 3.5 ё@5V,200mA 1.5V@1mA N Channel U-DFN2020-6D MOSFETs ROHS
3775 шт., срок 6-8 недель
17 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
14 руб.
от 150 шт. —
12 руб.
от 500 шт. —
10.71 руб.
15 шт.
на сумму 255 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
50V 200mA 3.5Ω@5V,200mA 1.5V@1mA N Channel U-DFN2020-6D MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 200mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.5О© @ 200mA,5V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.5V @ 1mA |
| Continuous Drain Current (Id) | 200mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5Ω@5V, 200mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@1mA |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Type | N Channel |
Техническая документация
Datasheet LRC6N33YT1G
pdf, 153 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
