L2SC2411KRLT1G, 32V 225mW 180@100mA,3V 500mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
15000 шт., срок 6-8 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
5 руб.
от 2500 шт. —
3.40 руб.
от 3000 шт. —
3.07 руб.
50 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
32V 225mW 180@100mA,3V 500mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 32V |
| Maximum DC Collector Current | 500mA |
| Pd - Power Dissipation | 225mW |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 32V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 180@100mA, 3V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Техническая документация
Datasheet L2SC2411KRLT1G
pdf, 538 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
