L2SC4083PWT1G, 11V 150mW 50mA NPN SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
1800 шт., срок 6-8 недель
7 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
5 руб.
50 шт.
на сумму 350 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
11V 150mW 50mA NPN SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 11V |
| Maximum DC Collector Current | 50mA |
| Pd - Power Dissipation | 150mW |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Current (Ic) | 50mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 11V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@10mA, 5mA |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transition Frequency (fT) | 3.2GHz |
Техническая документация
Datasheet L2SC4083PWT1G
pdf, 170 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
