LMBTA44LT1G, 400V 350mW 80@10mA,10V 200mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
15000 шт., срок 6-8 недель
7 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
6 руб.
от 2500 шт. —
4.80 руб.
от 3000 шт. —
4.27 руб.
50 шт.
на сумму 350 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
400V 350mW 80@10mA,10V 200mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 200mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 400V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@10mA, 10V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 50MHz |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 94 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
