LMBT3906WT1G, 40V 150mW 100@10mA,1V 200mA PNP SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
22500 шт., срок 6-8 недель
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
3 руб.
от 2500 шт. —
2.20 руб.
от 3000 шт. —
1.96 руб.
100 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
40V 150mW 100@10mA,1V 200mA PNP SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 40V |
| Maximum DC Collector Current | 200mA |
| Pd - Power Dissipation | 150mW |
| Transistor Type | PNP |
| Collector Current (Ic) | 200mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | - |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Техническая документация
Datasheet LMBT3906WT1G
pdf, 490 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
