L2SC3356LT1G, 12V 200mW 170@10mA,3V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
6000 шт., срок 6-8 недель
13 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт. —
11 руб.
от 500 шт. —
9.60 руб.
от 3000 шт. —
8.05 руб.
50 шт.
на сумму 650 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
12V 200mW 170@10mA,3V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 12V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 12V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | - |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 170@10mA, 3V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transition Frequency (fT) | 7GHz |
| Вес, г | 0.8 |
Техническая документация
Datasheet L2SC3356LT1G
pdf, 140 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
