LP3218DT1G, 12V 8.2A 1.7W 18m ё@4.5V,7A 1V@250uA P Channel DFN-6L(2x2) MOSFETs ROHS
4655 шт., срок 6-8 недель
20 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
16 руб.
от 150 шт. —
14 руб.
от 500 шт. —
12.33 руб.
10 шт.
на сумму 200 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
12V 8.2A 1.7W 18mΩ@4.5V,7A 1V@250uA P Channel DFN-6L(2x2) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 8.2A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.7W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 18mО© @ 7A,4.5V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 8.2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@4.5V, 7A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 1.7W |
| Type | P Channel |
Техническая документация
Datasheet LP3218DT1G
pdf, 547 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
