S-LBSS84LT1G, Package/EnclosureSOT-23 fet typeP-Channel Operating temperature-55~150 Gate voltage Vgs20V Drain-source voltage Vds-50V
15000 шт., срок 6-8 недель
4 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
от 5000 шт. —
3 руб.
2500 шт.
на сумму 10 000 руб.
Плати частями
от 2 500 руб. × 4 платежа
от 2 500 руб. × 4 платежа
Описание
50V 130mA 1.8Ω@10V,100mA 225mW 2V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 130mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.8Ω@10V, 100mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 38pF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.7pF@15V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | P Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 477 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
