LMBTA55LT1G, 60V 300mW 100@100mA,1V 500mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
15000 шт., срок 6-8 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
5 руб.
от 2500 шт. —
3.60 руб.
от 3000 шт. —
3.23 руб.
50 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
60V 300mW 100@100mA,1V 500mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
| Maximum DC Collector Current | 500mA |
| Pd - Power Dissipation | 300mW |
| Transistor Type | PNP |
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Transition Frequency (fT) | 50MHz |
Техническая документация
Datasheet LMBTA55LT1G
pdf, 85 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
