BC847B,215, 45V 250mW 200@2mA,5V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
![Фото 1/10 BC847B,215, 45V 250mW 200@2mA,5V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/206/DOC001206060.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174630.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395285.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757588.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/220/DOC007220386.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/349/DOC008349589.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086726.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/250/DOC031250219.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/250/DOC031250226.jpg)
340200 шт., срок 6-8 недель
3 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
2 руб.
от 3000 шт. —
1.60 руб.
от 6000 шт. —
1.37 руб.
100 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Интернет-магазин предлагает биполярный транзистор BC847B.
Транзисторы биполярные BC847B – трёхэлектродный полупроводниковый компонент, у которого электроды подключаются к последовательно расположенным слоям полупроводников с чередующейся примесной проводимостью.
Пластиковый корпус SOT23 для поверхностного монтажа с тремя выводами. NPN транзистор общего назначения.
Транзисторы биполярные BC847B – трёхэлектродный полупроводниковый компонент, у которого электроды подключаются к последовательно расположенным слоям полупроводников с чередующейся примесной проводимостью.
Пластиковый корпус SOT23 для поверхностного монтажа с тремя выводами. NPN транзистор общего назначения.
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности: | 250 mW |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 200 at 2 mA, 5 V |
Конфигурация: | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 200 at 2 mA, 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора: | 100 mA |
Напряжение коллектор-база (VCBO): | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 45 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 6 V |
Полярность транзистора: | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 100 MHz |
Рабочая температура: | - 65 C + 150 C |
Hfe при напряжении к-э, В | 5 |
Hfe при токе коллектора, А | 0.002 |
Диапазон рабочих температур, оС | -65…150 |
Статический коэффициент передачи тока hfe мин | 200 |
Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
Maximum DC Collector Current | 100 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 250 mW |
Minimum DC Current Gain | 200 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23(TO-236AB) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Коэффициент усиления hFE мин. | 200 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.2 |
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В | 45 |
Максимальный постоянный ток коллектора, А | 0.1 |
Тип проводимости | NPN |
Упаковка | 3000 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
BC847B.215
pdf, 270 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BC847_SER
pdf, 211 КБ
Datasheet BC847_SER
pdf, 271 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.