LP2309LT1G, 60V 1.9A 1.4W 215m@10V,1.8A 3V@250uA P Channel SOT-23TO-236 MOSFETs ROHS
12200 шт., срок 6-8 недель
16 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт. —
13 руб.
от 500 шт. —
11 руб.
от 3000 шт. —
9.85 руб.
50 шт.
на сумму 800 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 1.9A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.4W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 215mО© @ 1.8A,10V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 160mΩ@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.6V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 444.2pF |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
| Type | P Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2228 КБ
Datasheet LP2309LT1G
pdf, 698 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
