MMDT3906_R1_00001, 40V 200mW 100@10mA,1V 200mA 2PCSPNP SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
1250 шт., срок 6-8 недель
8 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
7 руб.
50 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
40V 200mW 100@10mA,1V 200mA 2PCSPNP SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 200mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | 2PCSPNP |
| Transition Frequency (fT) | - |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 391 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
