LMUN5214DW1T1G, 2 NPN - Pre-Biased 256mW 100mA 50V SC-88 Digital Transistors ROHS
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2950 шт., срок 6-8 недель
9 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
7 руб.
от 2500 шт. —
5.90 руб.
50 шт.
на сумму 450 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased
2 NPN - Pre-Biased 256mW 100mA 50V SC-88 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 100mA |
Pd - Power Dissipation | 256mW |
Transistor Type | 2 NPNпј€Doubleпј‰ |
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Power Dissipation (Pd) | 256mW |
Техническая документация
Datasheet LMUN5214DW1T1G
pdf, 151 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.