2N5551, 160V 625mW 600mA NPN TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
3560 шт., срок 6-8 недель
6 руб.
Мин. кол-во для заказа 40 шт.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
5 руб.
от 600 шт. —
4.10 руб.
от 2000 шт. —
3.34 руб.
40 шт.
на сумму 240 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
160V 625mW 165@10mA,5V 600mA SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 150@10mA, 5V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1322 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
