LP2305DSLT1G, 12V 4A 68m ё@4.5V,3.5A 1.1W 800mV@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
11250 шт., срок 6-8 недель
8 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
6 руб.
от 2500 шт. —
5.10 руб.
от 3000 шт. —
4.63 руб.
50 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
12V 4A 68mΩ@4.5V,3.5A 1.1W 800mV@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 4A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 1.1W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 68mΩ 3.5A, 4.5V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 800mV 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 68mΩ@4.5V, 3.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 800mV@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 1.1W |
| Type | P Channel |
Техническая документация
Datasheet LP2305DSLT1G
pdf, 497 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
