LNTK2575LT1G, Package/EnclosureSOT-23 fet typeN-Channel Operating temperature-55C~150C Gate voltage Vgs8V Drain-source voltage Vds25V
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
5000 шт., срок 6-8 недель
5 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
от 5000 шт. —
4 руб.
2500 шт.
на сумму 12 500 руб.
Плати частями
от 3 125 руб. × 4 платежа
от 3 125 руб. × 4 платежа
Описание
25V 750mA 249mΩ@4.5V,600mA 280mW 1.5V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 750mA |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 249mΩ@4.5V, 600mA |
Drain Source Voltage (Vdss) | 25V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 49pF@10V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 280mW |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 8pF@10V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.2nC@4.5V |
Type | N Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 232 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.