IXTN550N055T2, Discrete Semiconductor Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 290 руб.
от 10 шт. —
9 120 руб.
от 20 шт. —
7 980 руб.
от 50 шт. —
7 711.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 11 290 руб.
Плати частями
от 2 824 руб. × 4 платежа
от 2 824 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Discrete Semiconductor Modules
Технические параметры
| Case | SOT227B |
| Drain current | 550A |
| Drain-source voltage | 55V |
| Electrical mounting | screw |
| Gate charge | 595nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | IXYS |
| Mechanical mounting | screw |
| On-state resistance | 1.3mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 940W |
| Pulsed drain current | 1.65kA |
| Reverse recovery time | 100ns |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | GigaMOS™, TrenchT2™ |
| Type of module | MOSFET transistor |
| Вес, г | 30 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 176 КБ
