MMBT5551, 160V 350mW 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
122050 шт., срок 6-8 недель
3 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 3000 шт. —
1.70 руб.
от 6000 шт. —
1.50 руб.
100 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
160V 300mW 100@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 5V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1978 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
