IXXK100N60C3H1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 960 руб.
от 25 шт. —
5 070 руб.
от 100 шт. —
4 430 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 960 руб.
Плати частями
от 1 740 руб. × 4 платежа
от 1 740 руб. × 4 платежа
Описание
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Energy Rating | 600mJ |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 695 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-264 |
| Pin Count | 3 |
| Switching Speed | 20 → 60kHz |
| Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXXK100N60C3H1
pdf, 239 КБ
