2PD602ASL,215, 50V 250mW 170@150mA,10V 500mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
![Фото 1/5 2PD602ASL,215, 50V 250mW 170@150mA,10V 500mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/131/DOC021131569.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/975/DOC023975857.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/975/DOC023975865.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515880.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/536/DOC007536407.jpg)
2995 шт., срок 6-8 недель
25 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
21 руб.
от 150 шт. —
18 руб.
от 500 шт. —
15.87 руб.
10 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 50V 500MA NPN GEN-PURPOSE TRAN
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 3 mm |
Другие названия товара № | 934062315215 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 40 at 500 mA, 10 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.4 mm |
Base Product Number | 2PD602 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 170 @ 150mA, 10V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 180MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power - Max | 250mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
Supplier Device Package | TO-236AB |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 30mA, 300mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
Maximum DC Collector Current | 500 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 180 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 250 mW |
Minimum DC Current Gain | 40 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT23, TO-236AB |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Collector Emitter Voltage Max | 50В |
Continuous Collector Current | 500мА |
DC Current Gain hFE Min | 170hFE |
DC Усиление Тока hFE | 170hFE |
Power Dissipation | 250мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-236AB |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 180МГц |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 596 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 57 КБ
Datasheet
pdf, 174 КБ
Datasheet 2PD602ASL,215
pdf, 609 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.