2PD602ASL,215, 50V 250mW 170@150mA,10V 500mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Фото 1/5 2PD602ASL,215, 50V 250mW 170@150mA,10V 500mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2995 шт., срок 6-8 недель
25 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.21 руб.
от 150 шт.18 руб.
от 500 шт.15.87 руб.
10 шт. на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8007952502
Артикул: 2PD602ASL,215
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 50V 500MA NPN GEN-PURPOSE TRAN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 250 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3 mm
Другие названия товара № 934062315215
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 40
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 40 at 500 mA, 10 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 180 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Base Product Number 2PD602 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 170 @ 150mA, 10V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 180MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 250mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 30mA, 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Maximum Collector Base Voltage 60 V
Maximum Collector Emitter Voltage 50 V
Maximum DC Collector Current 500 mA
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 180 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 250 mW
Minimum DC Current Gain 40
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT23, TO-236AB
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Collector Emitter Voltage Max 50В
Continuous Collector Current 500мА
DC Current Gain hFE Min 170hFE
DC Усиление Тока hFE 170hFE
Power Dissipation 250мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора TO-236AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 180МГц
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 596 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 57 КБ
Datasheet
pdf, 174 КБ
Datasheet 2PD602ASL,215
pdf, 609 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.