FCD1300N80Z
![FCD1300N80Z](https://static.chipdip.ru/lib/532/DOC016532279.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
590 руб.
от 10 шт. —
450 руб.
от 100 шт. —
336 руб.
от 500 шт. —
265.73 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 590 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 6 ns |
Forward Transconductance - Min: | 4.5 S |
Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | DPAK-3 |
Pd - Power Dissipation: | 52 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 16.2 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.3 Ohms |
Rise Time: | 8.3 ns |
Series: | FCD1300N80Z |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | SuperFET II |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1038 КБ