FCD1300N80Z

FCD1300N80Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
590 руб.
от 10 шт.450 руб.
от 100 шт.336 руб.
от 500 шт.265.73 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 590 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8008458484

Описание

Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Brand: onsemi/Fairchild
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 6 ns
Forward Transconductance - Min: 4.5 S
Id - Continuous Drain Current: 4 A
Manufacturer: onsemi
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: DPAK-3
Pd - Power Dissipation: 52 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 16.2 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.3 Ohms
Rise Time: 8.3 ns
Series: FCD1300N80Z
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: SuperFET II
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 33 ns
Typical Turn-On Delay Time: 14 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 800 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4.5 V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1038 КБ