FQPF10N20C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 руб.
от 50 шт. —
270 руб.
от 100 шт. —
201 руб.
от 500 шт. —
158.80 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 370 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 6А, 38Вт, TO220FP Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 360 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 38 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220F |
| Pin Count | 3 |
| Series | QFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Width | 4.7mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FQPF10N20C
pdf, 714 КБ
