EFC4K105NUZTDG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
от 10 шт. —
190 руб.
от 100 шт. —
142 руб.
от 500 шт. —
108.58 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Fall Time: | 78 us |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | WLCSP-10 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 43 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.55 mOhms |
| Rise Time: | 35 us |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 185 us |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 us |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 22 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 170 КБ
