FDMS86300DC
![FDMS86300DC](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC023514168.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
880 руб.
от 10 шт. —
670 руб.
от 100 шт. —
469 руб.
от 500 шт. —
368.70 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 880 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 76 A |
Maximum Drain Source Resistance | 5 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 125 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | PQFN8 |
Pin Count | 8 |
Series | PowerTrench |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
Width | 5.85mm |