FCD360N65S3R0
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
660 руб.
от 10 шт. —
500 руб.
от 100 шт. —
373 руб.
от 500 шт. —
274.40 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 660 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
МОП-транзистор SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Pd - рассеивание мощности | 83 W |
| Qg - заряд затвора | 18 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 360 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 11 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 34 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.31Ом |
| Power Dissipation | 83Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | SUPERFET III |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 83Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.31Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet FCD360N65S3R0
pdf, 409 КБ
Datasheet FCD360N65S3R0
pdf, 407 КБ
