GD05MPS17H

GD05MPS17H
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
446 шт., срок 6-8 недель
1 590 руб.
от 10 шт.1 260 руб.
от 25 шт.1 170 руб.
от 100 шт.1 016.72 руб.
1 шт. на сумму 1 590 руб.
Плати частями
от 399 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8008626218

Описание

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.

Технические параметры

Brand: GeneSiC Semiconductor
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 30
If - Forward Current: 5 A
Ifsm - Forward Surge Current: 50 A
Ir - Reverse Current: 1 uA
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 164 W
Product Category: Schottky Diodes & Rectifiers
Product Type: Schottky Diodes & Rectifiers
Product: Schottky Silicon Carbide Diodes
Series: SiC Schottky MPS
Subcategory: Diodes & Rectifiers
Technology: SiC
Type: Schottky Silicon Carbide Diodes
Vf - Forward Voltage: 1.5 V
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: 1.7 kV

Техническая документация

Datasheet
pdf, 516 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.