MMST3906, 40V 200mW 200mA PNP SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
300000 шт., срок 6-8 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт. —
5 руб.
от 500 шт. —
4.30 руб.
от 3000 шт. —
3.39 руб.
50 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
40V 200mW 200mA PNP SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 200mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@5mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1V |
Power Dissipation (Pd) | 300mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1735 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.