MMBTA42, 300V 350mW 500mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
300000 шт., срок 6-8 недель
5 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
от 2500 шт. —
3.30 руб.
от 3000 шт. —
2.73 руб.
50 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
300V 350mW 100@10mA,10V 300mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 500mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 300V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 0.2V@20mA, 2.0mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 10V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
Power Dissipation (Pd) | 350mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 50MHz |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
MMBTA42-SOT-23
pdf, 911 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.