2SD1628G-TD-E
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
от 100 шт. —
100 руб.
от 500 шт. —
80.54 руб.
1 шт.
на сумму 190 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| Configuration: | Single |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 120 |
| DC Current Gain hFE Max: | 560 at 500 mA, 2 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 120 MHz |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum DC Collector Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PCP-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 324 КБ
