FDD2670
![FDD2670](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514246.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 руб.
от 10 шт. —
410 руб.
от 100 шт. —
300 руб.
от 500 шт. —
236.80 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 530 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
МОП-транзистор N-CH 200V 18A Q-FET
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 3.6 A |
Pd - рассеивание мощности | 3.2 W |
Qg - заряд затвора | 43 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 130 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 8 ns |
Время спада | 25 ns |
Высота | 2.39 mm |
Длина | 6.73 mm |
Другие названия товара № | FDD2670_NL |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | PowerTrench |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 15 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | FDD2670 |
Технология | Si |
Тип | MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 30 ns |
Типичное время задержки при включении | 13 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.22 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Continuous Drain Current | 3.6(A) |
Drain-Source On-Volt | 200(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | DPAK |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 2+Tab |
Polarity | N |
Power Dissipation | 3.2(W) |
Rad Hardened | No |
Type | Power MOSFET |
Техническая документация
Datasheet FDD2670
pdf, 381 КБ
Документация
pdf, 436 КБ