2N7002K, MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
17 руб.
от 500 шт. —
13 руб.
от 3000 шт. —
11.22 руб.
10 шт.
на сумму 210 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.8 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 350 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.3mm |
