MMBT3906, 40V 200mW 100@10mA,1V 200mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
9000 шт., срок 6-8 недель
3 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 3000 шт. —
1.90 руб.
от 6000 шт. —
1.65 руб.
100 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
40V 300mW 200mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 200mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100 |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 300MHz |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 817 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.