SI2305, Package/EnclosureSOT-23 Rds OnMax@Id,Vgs55m@4.5V,3.9A Pd-power dissipation Max1200mW
300000 шт., срок 6-8 недель
5 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 15 000 руб.
Плати частями
от 3 750 руб. × 4 платежа
от 3 750 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
20V 4.1A 1.25W 52mΩ@4.5V,4.1A 1V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 43mΩ@4.5V, 5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | P Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 4125 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
