MMDT4401_R1_00001, 40V 225mW 100@150mA,1V 600mA 2 NPN SOT-363-6 Bipolar Transistors - BJT ROHS
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2400 шт., срок 6-8 недель
8 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт. —
7 руб.
от 500 шт. —
5.70 руб.
50 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
40V 225mW 100@150mA,1V 600mA 2 NPN SOT-363-6 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 600mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 750mV@500mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 1V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 225mW |
Transistor Type | 2 NPN |
Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.